MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大
（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数
（5）场效应管的抗辐射能力强
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
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